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　　更大容量、更高效能一直是固态硬盘(SSD)产品发展的主要方向，而为了迎合此一目标，大多数NAND Flash厂都计划在2018年下半推出采用QLC架构的64层3D NAND Flash，并预计在2019年将其应用在96层产品上。SSD控制器厂商也紧跟这个趋势，推出支援QLC的新一代产品。

　　为实现更高储存密度，NAND Flash的堆栈层数不断增加，单一晶胞内能储存的信息也越来越多。目前NAND Flash芯片已经进入64层TLC时代，展望2019年，三星(Samsung)、东芝(Toshiba)等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性，台湾两大SSD控制器业者群联和慧荣，皆已备妥对应的解决方案。

　　群联电子发言人于绍庭表示，3D NAND Flash技术不断推进，目前64层TLC已经是相当稳定的产品。而为了进一步提升储存密度，NAND Flash供应商正在努力往96层QLC发展，届时单一颗粒的储存容量将可达1TB。其实，目前已经有业者发表采用QLC架构的64层3D NAND Flash，但技术验证的意味浓厚，预计要等到2019年推出的96层3D NAND Flash，才会开始大量采用QLC。

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